Fabricant : GaN Systems

650V 11A Transistor GaN à mode d'amélioration

Numéro de pièce : GS-065-011-1-L

V_DS

650 V E-HEMT

I_DS[A]

R_DS(ON)[mΩ]

150

Q_G[nC]

2.2

Refroidissement

Côté inférieur

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Pièces détachées

Numéro de pièce	I_DS	R_DS(on)	Q_G	Dimensions	Emballage Refroidissement
GS61004B	38 A	16 mΩ	3,3 nC	4,6 x 4,4 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS61008P	90 A	7 mΩ	8 nC	7,6 x 4,6 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS61008T	90 A	7 mΩ	8 nC	7,0 x 4,0 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS-065-004-1-L	4 A	450 mΩ	0,8 nC	5,0 x 6,0 x 0,85 mm	Côté inférieur
GS-065-008-1-L	8 A	225 mΩ	1,5 nC	5,0 x 6,0 x 0,85 mm	Côté inférieur
GS-065-011-1-L	11 A	150 mΩ	2,2 nC	5,0 x 6,0 x 0,85 mm	Côté inférieur
GS-065-011-2-L	11 A	150 mΩ	2,2 nC	8,0 x 8,0 x 0,9 mm	Côté inférieur
GS-065-018-2-L	18 A	78 mΩ	4 nC	8,0 x 8,0 x 0,9 mm	Côté inférieur
GS-065-030-2-L	30 A	50 mΩ	6,7 nC	8,0 x 8,0 x 0,9 mm	Côté inférieur
GS66502B	7.5 A	200 mΩ	1,6 nC	5,0 x 6,6 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS66504B	15 A	100 mΩ	3,3 nC	5,0 x 6,6 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS66506T	22.5 A	67 mΩ	4,5 nC	5,6 x 4,5 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS66508B	30 A	50 mΩ	6,1 nC	7,0 x 8,4 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS66508T	30 A	50 mΩ	6,1 nC	7,0 x 4,5 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS-065-060-5-B-A	60 A	25 mΩ	14 nC	11,0 x 9,0 x 0,63 mm	Côté inférieur
GS-065-060-5-T-A	60 A	25 mΩ	14 nC	9,0 x 7,6 x 0,69 mm	Côté supérieur
GS-065-060-3-B	60 A	25 mΩ	14 nC	11,0 x 9,0 x 0,45 mm	Côté inférieur
GS66516B	60 A	25 mΩ	14,2 nC	11,0 x 9,0 x 0,54 mm	Côté inférieur
GS-065-060-3-T	60 A	25 mΩ	14 nC	9,2 x 7,8 x 0,49 mm	Côté supérieur
GS66516T	60 A	25 mΩ	14,2 nC	9,0 x 7,6 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS-065-150-1-D2	150 A	10 mΩ	33 nC	12,6 x 5,6 x 0,3 mm	Mourir

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