Systèmes GaN

GaN Systems, fondée en 2008 et basée à Ottawa, au Canada, a des bureaux au Royaume-Uni, en Allemagne, au Japon et aux États-Unis. Il s'agit d'une société de semi-conducteurs sans usine. La conception de ses systèmes de premier ordre peut mettre en évidence les avantages du GaN dans les applications de conversion et de contrôle de l'énergie. Afin de surmonter les limites du silicium en termes de vitesse de conversion, de température, de tension et de courant, GaN Systems a développé un ensemble complet de dispositifs de conversion d'énergie GaN adaptés à différents marchés.

La technologie unique et brevetée de GaN Systems, IslandTechnology ®, permet de réduire la taille et l'efficacité des produits similaires et de relever les défis du coût, de la performance et de la fabrication en même temps. Jim Witham, PDG de GaN Systems, a été PDG de Neosonic et de Fultec Semiconductor. Il est titulaire d'un MBA de la Harvard Business School et d'une licence et d'une maîtrise en ingénierie mécanique de l'université de Stanford.

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Composants électroniques

Transistors GaN - 100 V E-HEMT

Partie	I_DS	R_DS(on)	Q_G	Dimensions	Refroidissement de l'emballage
GS61004B	38 A	16 mΩ	3,3 nC	4,6 x 4,4 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS61008P	90 A	7 mΩ	8 nC	7,6 x 4,6 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS61008T	90 A	7 mΩ	8 nC	7,0 x 4,0 x 0,54 mm	Côté supérieur

Transistors GaN - 100 V E-HEMT

Partie	I_DS	R_DS(on)	Q_G	Dimensions	Refroidissement de l'emballage
GS-065-004-1-L	4 A	450 mΩ	0,8 nC	5,0 x 6,0 x 0,85 mm	Côté inférieur
GS-065-008-1-L	8 A	225 mΩ	1,5 nC	5,0 x 6,0 x 0,85 mm	Côté inférieur
GS-065-011-1-L	11 A	150 mΩ	2,2 nC	5,0 x 6,0 x 0,85 mm	Côté inférieur
GS-065-011-2-L	11 A	150 mΩ	2,2 nC	8,0 x 8,0 x 0,9 mm	Côté inférieur
GS-065-018-2-L	18 A	78 mΩ	4 nC	8,0 x 8,0 x 0,9 mm	Côté inférieur
GS-065-030-2-L	30 A	50 mΩ	6,7 nC	8,0 x 8,0 x 0,9 mm	Côté inférieur
GS66502B	7.5 A	200 mΩ	1,6 nC	5,0 x 6,6 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS66504B	15 A	100 mΩ	3,3 nC	5,0 x 6,6 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS66506T	22.5 A	67 mΩ	4,5 nC	5,6 x 4,5 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS66508B	30 A	50 mΩ	6,1 nC	7,0 x 8,4 x 0,51 mm	Côté inférieur
GS66508T	30 A	50 mΩ	6,1 nC	7,0 x 4,5 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS-065-060-5-B-A	60 A	25 mΩ	14 nC	11,0 x 9,0 x 0,63 mm	Côté inférieur
GS-065-060-5-T-A	60 A	25 mΩ	14 nC	9,0 x 7,6 x 0,69 mm	Côté supérieur
GS-065-060-3-B	60 A	25 mΩ	14 nC	11,0 x 9,0 x 0,45 mm	Côté inférieur
GS66516B	60 A	25 mΩ	14,2 nC	11,0 x 9,0 x 0,54 mm	Côté inférieur
GS-065-060-3-T	60 A	25 mΩ	14 nC	9,2 x 7,8 x 0,49 mm	Côté supérieur
GS66516T	60 A	25 mΩ	14,2 nC	9,0 x 7,6 x 0,54 mm	Côté supérieur
GS-065-150-1-D2	150 A	10 mΩ	33 nC	12,6 x 5,6 x 0,3 mm	Mourir

Pièces détachées pour systèmes GaN

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