Innoscience

Innoscience est une entreprise de haute technologie qui se consacre à la recherche, au développement et à la fabrication de dispositifs et d'épitaxie de nitrure de gallium (GaN) à base de silicium de troisième génération. L'entreprise utilise le modèle de la chaîne industrielle complète de fabrication de dispositifs intégrés (IDM) et a mis en place la première ligne de production au monde dotée de la plus grande capacité de production en masse de plaquettes de 8 pouces de GaN-sur-Si.

Fondée le 17 décembre 2015, Innoscience a compris dès le départ que l'adoption généralisée de la technologie du nitrure de gallium (GaN) par le marché nécessitait plus que des performances et de la fiabilité. Il était nécessaire de répondre à trois points de douleur cruciaux.

Tout d'abord, le coût était impératif ; un prix raisonnable était essentiel pour une large adoption.
Deuxièmement, la capacité de production à grande échelle était indispensable pour répondre aux demandes du marché.
Enfin, il était essentiel de garantir une chaîne d'approvisionnement stable pour les dispositifs, ce qui permettait aux clients de se concentrer entièrement sur le développement de produits et de systèmes sans se soucier des interruptions de production dues à des changements dans la stratégie d'approvisionnement en dispositifs GaN.

Innoscience a donc compris que ce n'est qu'en augmentant la capacité de production de dispositifs GaN et en possédant une ligne de production contrôlable de manière indépendante que les trois problèmes (prix, quantité et sécurité d'approvisionnement) pourraient être résolus efficacement, ce qui permettrait de promouvoir largement les dispositifs électroniques de puissance GaN sur le marché.

Dès le départ, Innoscience a stratégiquement adopté des plaquettes de 8 pouces. Par rapport aux plaquettes de 6 pouces, les plaquettes de 8 pouces produisent 80% de dispositifs en plus. En outre, Innoscience a tiré parti des processus C-MOS, en appliquant des années d'expérience et des mesures d'optimisation dans le domaine de la production de transistors au processus de production des plaquettes de GaN.

Aujourd'hui, Innoscience a réalisé ses projets initiaux. Actuellement, l'entreprise possède deux installations de production de GaN à base de silicium de 8 pouces utilisant des processus de production de pointe de 8 pouces, ce qui en fait le principal fabricant de dispositifs GaN avec la plus grande capacité de production mondiale.

Actuellement, la capacité de production de GaN à base de silicium de 8 pouces d'Innoscience a atteint 10 000 plaquettes par mois, et il est prévu de l'augmenter progressivement jusqu'à plus de 70 000 plaquettes par mois et au-delà.

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Composants électroniques

HEMT GaN HV

Numéro de pièce	Configuration	Paquet	V_DS max(V)	R_DS(on)_typ(mΩ)	R_DS(on) max (mΩ)	Q_G(nC)	Q_oss(nC)	I_D max (A)	I_DPuls max(A)	Modèles
INN650D140A	Unique	DFN 8X8	650	106	140	3.5	33	17	32	disponible
INN650DA140A	Unique	DFN 5X6	650	106	140	3.5	33	17	32	disponible
INN650N140A	Unique	WAFER	650	106	140	3.5	33	17	32	disponible
INN650D190A	Unique	DFN 8X8	650	138	190	2.8	24.5	11.5	20.5	disponible
INN650DA190A	Unique	DFN 5X6	650	138	190	2.8	24.5	11.5	20.5	disponible
INN650N190A	Unique	WAFER	650	138	190	2.8	24.5	11.5	20.5	disponible
INN650D240A	Unique	DFN 8X8	650	165	240	2	21	10	18	disponible
INN650DA240A	Unique	DFN 5×6	650	165	240	2	21	10	18	disponible
INN650N240A	Unique	WAFER	650	165	240	2	21	10	18	disponible
INN650D350A	Unique	DFN 8X8	650	270	350	1.5	13	6	10	disponible
INN650DA350A	Unique	DFN 5X6	650	270	350	1.5	13	6	10	disponible
INN650N350A	Unique	WAFER	650	270	350	1.5	13	6	10	disponible
INN650DA500A	Unique	DFN 5X6	650	365	500	1.3	10.5	5	9	disponible
INN650N500A	Unique	WAFER	650	365	500	1.3	10.5	5	9	disponible
INN650DA600A	Unique	DFN 5X6	650	470	600	0.7	7.3	3.3	6	disponible
INN650N600A	Unique	WAFER	650	470	600	0.7	7.3	3.3	6	disponible
INN650N05(ancien P/N)	Unique	WAFER	650	620	800	0.7	5	2	5	disponible
INN650N2K2A	Unique	WAFER	650	1600	2200	0.2	2	0.8	1.6	disponible
INN650D080BS	Unique	DFN 8X8	650	60	80	6.2	60	29	58	disponible
INN700DC140A	Unique	DFN 5X6	700	106	140	3.5	33	17	32	disponible
INN700DC240A	Unique	DFN 5X6	700	165	240	2	21	10	18	disponible
INN700DC350A	Unique	DFN 5X6	700	270	350	1.5	13	6	10	disponible

LV GaN HEMT

Numéro de pièce	Configuration	Paquet	V_DS max(V)	R_DS(on)_typ(mΩ)	R_DS(on) max (mΩ)	Q_G(nC)	Q_oss(nC)	I_D max (A)	I_DPuls max(A)	Modèles
INN040W048A	Bidirection	WLCSP 2.1X2.1	40	4	4.8	15.8	12.2	20	100	disponible
INN040W080A	Bidirection	WLCSP 1.7X1.7	40	6.1	8	10.1	8	14	70	disponible
INN040W120A	Bidirection	WLCSP 1.2X1.7	40	9	12	7.2	5.6	10	50	disponible
INN040FQ012A	Bidirection	FCQFN 6X4	40	0.9	1.2	60	45	100	200	disponible
INN040FQ015A	Unique	FCQFN 5X4	40	1.2	1.5	28	58	50	200	disponible
INN040FQ043A	Unique	FCQFN 4X3	40	3	4.3	6.2	14	24	160	disponible
INN100W032A	Unique	WLCSP 3.5X2.13	100	2.4	3.2	9.2	50	60	230	disponible
INN100W027A	Unique	WLCSP 4.45x2.30	100	2.1	2.7	13	77	64	320	disponible
INN100W070A	Unique	WLCSP 2,5x1,5	100	5.5	7	4.5	25	29	125	disponible
INN100FQ016A	Unique	FCQFN 4X6	100	1.4	1.8	22	125	100	320	disponible
INN100FQ025A	Unique	FCQFN 3X5	100	2.2	2.8	14	85	80	320	disponible
INN150FQ032A	Unique	FCQFN 4X6	150	3.2	3.9	20	130	100	260	disponible
INN150LA070A*	Unique	LGA 2.2X3.2	150	5.6	7	7.6	46.8	28	120	disponible
ISG3201	SolidGaN (conducteur + demi-pont GaN)	LGA 5x6.5x1.1	100	2.4+2.4	3.2+3.2	9.2+9.2	50+50	60	N/A	N/A

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