Mosfet SiC

Le SIC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) est un type de MOSFET de puissance (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) qui est basé sur le carbure de silicium (SiC) au lieu du silicium.

1200V 240mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M120F240

1200V 30mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M120Q030

1200V 60mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M120Q060

1700V 45mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M170F045

1700V 1Ω TO-247-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M170F1K0

1700V 45mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M170Q045

1700V 1.2Ω TO-247-4L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M170Q1K2

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