650V 75A N-Channel Trench Field Stop IGBT TO-247

Description

Le HIA75N65H-SA est un IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) à canal N à arrêt de champ en tranchée de 650V qui présente plusieurs caractéristiques et applications remarquables. En voici un aperçu :

Caractéristiques :

1. Très faible VCE(sat): Cet IGBT est conçu pour avoir une tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) très basse. Une faible VCE(sat) permet de réduire la dissipation de puissance et les pertes d'énergie dans le dispositif lorsqu'il est à l'état passant.
2. Perte de commutation extrêmement faible: L'IGBT est optimisé pour des pertes de commutation minimales. De faibles pertes de commutation sont cruciales dans les applications à haute fréquence car elles conduisent à un rendement global plus élevé et à une réduction de la production de chaleur.
3. Excellente stabilité et uniformité: Cet IGBT est conçu pour offrir une stabilité et des performances uniformes sur toute sa plage de fonctionnement. Cela garantit un fonctionnement cohérent et fiable dans diverses applications.
4. Diode douce à récupération rapide: La diode intégrée a un temps de rétablissement rapide de l'inversion tout en conservant des caractéristiques de commutation douces. Ceci est bénéfique dans les applications où l'IGBT commute fréquemment.
5. Température de jonction maximale (TJ(max)) = 175℃: L'IGBT peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 175 degrés Celsius. Cette capacité à supporter des températures élevées lui permet d'être utilisé dans des applications exigeantes sans risque de surchauffe.

Applications :

1. Convertisseurs solaires: Les convertisseurs solaires, tels que les onduleurs des systèmes photovoltaïques, nécessitent souvent des dispositifs de commutation à haute tension et à haut rendement, comme cet IGBT, pour convertir le courant continu des panneaux solaires en courant alternatif utilisable.
2. Alimentations sans interruption (ASI): Les systèmes ASI nécessitent des dispositifs de commutation de puissance fiables et efficaces pour fournir une alimentation de secours pendant les interruptions de courant. Les IGBT sont couramment utilisés dans les systèmes UPS à cette fin.
3. Correction du facteur de puissance (PFC): La correction du facteur de puissance est essentielle pour améliorer l'efficacité des alimentations électriques. Les IGBT peuvent être utilisés dans les circuits PFC pour aider à contrôler et à ajuster le facteur de puissance.
4. Convertisseurs de soudage: Les convertisseurs de soudage ont besoin de capacités de commutation à haute tension et à haute intensité. Les IGBT conviennent aux applications de soudage où ils peuvent gérer efficacement les exigences de puissance élevée.
5. Convertisseurs haute fréquence: Les convertisseurs à haute fréquence, souvent utilisés dans les entraînements de moteurs et autres applications, nécessitent des composants capables de commuter rapidement et efficacement. Les faibles pertes de commutation de cet IGBT le rendent adapté aux applications à haute fréquence.

En résumé, le HIA75N65H-SA est un IGBT haute tension conçu pour diverses applications exigeant un rendement élevé, de faibles pertes de commutation et des performances fiables. Ses caractéristiques et sa capacité à résister aux températures élevées le rendent particulièrement adapté à une utilisation dans les convertisseurs solaires, les systèmes UPS, la correction du facteur de puissance, les convertisseurs de soudage et les convertisseurs haute fréquence.

HIA75N65H-SA est une alternative pin à pin à l'IKW75N65EH. Cela signifie que les deux IGBT ont des dispositions de broches compatibles et peuvent être utilisés de manière interchangeable dans le même circuit sans nécessiter de modifications significatives de la conception ou des connexions du PCB (Printed Circuit Board). Cette compatibilité permet aux concepteurs et aux ingénieurs de remplacer plus facilement un IGBT par l'autre lors de l'approvisionnement en composants ou de la révision de la conception.