Produits
MOS
- SJ-MOS
- SJ-MOS(récupération rapide)
- SGT-MOS
IGBT
- SJ-IGBT
SiC
- SiC-MOS
- SiC-SBD
Pilote côté haut (en cours de développement)
- 600V
Comparaison de différents procédés pour les super jonctions MOS (SJ-MOS)
Actuellement, il existe deux méthodes principales pour produire des super jonctions (SJ-MOS) :
(1) Le multi-épitaxie (Multi-EPI) consiste à faire croître des couches par épitaxie et implantation ionique pour obtenir la super-jonction. Bien que cette méthode nécessite moins d'équipement, elle implique de nombreuses étapes de production, ce qui entraîne des coûts plus élevés. (
2) Les tranchée profonde consiste à creuser directement des sillons profonds, ce qui est rentable mais pose des problèmes pour garantir des performances uniformes dans les tranchées, ce qui entraîne des risques en termes de fiabilité.
Les principaux fabricants internationaux de SJ-MOSFET, dont Infineon, adoptent généralement le procédé multi-épitaxial en raison de ses avantages en termes de fiabilité des produits et d'atténuation des interférences électromagnétiques.
Super Semiconductor est la première entreprise chinoise de semi-conducteurs à développer avec succès des produits MOSFET à super jonction en utilisant le processus multi-épitaxial.
Comparaison de l'IDSS des MOS à super jonction avec différents processus
Les caractéristiques du courant de fuite entre le drain et la source (IDSS) des produits SJ-MOSFET sont principalement liées au type de processus du produit, avec un impact relativement minime des spécifications du produit, de la taille de la puce et des générations de processus.
Les produits SJ-MOSFET de Super Semiconductor présentent des caractéristiques IDSS qui sont essentiellement compatibles avec les produits à processus multi-épitaxial les plus courants au niveau international et sensiblement inférieures à celles des produits utilisant le processus Deep-Trench.
L'excellente performance des caractéristiques de fuite à haute température contribue à garantir la fiabilité et la stabilité des produits SJ-MOSFET de Super Semiconductor dans des conditions de fonctionnement prolongées.
Avantages du SJ-IGBT de Super Semiconductor
Densité de courant plus élevée
La technologie IGBT a atteint sa septième génération, comme en témoigne l'IGBT7 d'Infineon, qui utilise une structure de microtranche + arrêt de champ, atteignant une densité de courant impressionnante de 400A/cm².
Les dispositifs SJ-IGBT récemment introduits par Super Semiconductor vont encore plus loin, en améliorant de manière significative la densité de courant au-delà de l'IGBT7. La première génération de SJ-IGBT a déjà franchi une étape importante avec une densité de courant de 450A/cm², et la prochaine génération, actuellement en cours de validation, vise à étendre la densité de courant à un nombre impressionnant d'appareils. 600A/cm².
Pertes de commutation réduites
Comparaison des mesures réelles entre les pièces H5 et S5 de la société I et les pièces de Super Semiconductor
Tous les dispositifs sont soumis à des essais dynamiques et de court-circuit dans les mêmes conditions sur la plate-forme d'essai spécialisée LE MSYS TRds4045-40 70 de l'Institut de recherche industrielle en microtechnique de Shanghai. Le SJ-IGBT de type G2H présente des pertes de commutation exceptionnellement faibles, ce qui le rend plus adapté aux applications à haute fréquence.
Paquets plus petits
La capacité de densité de courant plus élevée des dispositifs SJ-IGBT permet une réduction significative de la surface de la puce, minimisant ainsi les exigences de taille de l'emballage pour le dispositif. Actuellement, sur le marché, les dispositifs IGBT 600/650V 30-75A (avec FRD intégré) utilisent généralement des formes d'emballage plus grandes telles que TO-247 et TO-3P en raison des considérations relatives à la surface de la puce. Super Semiconductor propose des produits SJ-IGBT de 30 à 75 A, dotés de diodes à récupération rapide, dans des formes d'emballage telles que TO-220, TO-220F et TO-247, ce qui offre plus de flexibilité et d'options par rapport aux alternatives de plus grande taille.
Applications
Micro-onduleurs solaires
Les micro-onduleurs solaires convertissent la puissance des panneaux photovoltaïques (PV) individuels. La puissance nominale d'un seul panneau photovoltaïque est généralement de 400 W, tandis que plusieurs panneaux peuvent avoir une puissance nominale combinée allant jusqu'à 1,5 kW. Récemment, en raison de l'impact de la crise énergétique européenne, la demande de micro-onduleurs solaires est restée élevée. Notre SJ-MOS haute tension de 800 V, qui utilise un processus multi-épitaxial, offre une grande fiabilité et une bonne cohérence, afin de répondre efficacement aux exigences de conception.
Pièces SJ-MOS recommandées
Diodes SiC recommandées
Recommandé SiC-MOS
Article de l'IEEE EDL sur le SJ-IGBT
Super Semiconductor a publié un article sur son programme de recherche. l'innovation sur SJ-IGBTdans la revue de haut niveau IEEE EDL (Electron Device Letters), marquant ainsi une nouvelle avancée dans la technologie des puces à base de silicium.
Contact
N'hésitez pas à nous contacter à l'adresse info@chiplix.com pour plus d'informations sur Super Semiconductor et ses produits SJ-IGBT, SJ-MOS, SiC-MOS, SiC-SBD et SGT-MOS, ainsi que sur leurs applications. Nous sommes là pour vous aider à identifier le composant le mieux adapté à votre projet.
