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Diode Schottky SiC

La diode Schottky SIC désigne un type de diode Schottky qui utilise le carbure de silicium (SiC) comme semi-conducteur au lieu du silicium traditionnel.
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Hestia Power
Référence Fabricant : H3D065A004
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Référence Fabricant : H3D065A006
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Référence Fabricant : H3D065A008
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Référence Fabricant : H3D065A010
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Référence Fabricant : H3D065A012
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Référence Fabricant : H3D065A020
hestia power TO263 Gen.3 sic diode schottky
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Référence Fabricant : H3D065T004
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CARTE DE LIGNE CHIPLIX

fAQ A propos de la diode SiC Schottky

Une diode Schottky est un dispositif semi-conducteur qui présente une faible chute de tension directe et des caractéristiques de commutation rapides. La diode Schottky SIC tire parti des propriétés uniques du carbure de silicium, notamment une conductivité thermique élevée, une tension de claquage élevée et une grande mobilité des électrons, pour offrir des performances supérieures à celles des diodes Schottky conventionnelles à base de silicium.

Les diodes Schottky SIC sont utilisées dans des applications à haute puissance et à haute température, telles que l'électronique de puissance, les systèmes d'énergie renouvelable et la technologie aérospatiale. Ces diodes peuvent fonctionner à des températures plus élevées et supporter des tensions et des courants plus importants que les diodes Schottky à base de silicium, ce qui permet d'améliorer l'efficacité et la fiabilité des applications exigeantes.

<Les diodes Schottky SIC ont une chute de tension avant plus faible que les diodes Schottky à base de silicium. Elles dissipent moins d'énergie et génèrent moins de chaleur. Cela se traduit par une plus grande efficacité énergétique et une meilleure gestion thermique.

Fonctionnement à des températures plus élevées : Les diodes Schottky SIC peuvent fonctionner à des températures beaucoup plus élevées que les diodes Schottky à base de silicium. Cela leur permet d'être utilisées dans des applications à haute température sans nécessiter de systèmes de refroidissement supplémentaires.

Capacité de tension plus élevée : Les diodes Schottky SIC ont une capacité de tension plus élevée que les diodes Schottky à base de silicium et conviennent donc aux applications à haute tension.

<Les diodes Schottky SIC ont une vitesse de commutation plus rapide que les diodes Schottky à base de silicium, ce qui les rend idéales pour les applications à haute fréquence.

<Les diodes Schottky SIC sont plus fiables que les diodes Schottky à base de silicium en raison de leurs propriétés thermiques et électriques supérieures, ce qui se traduit par des durées de vie plus longues et une amélioration des performances du système.

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