Mosfet SiC

Le SIC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) est un type de MOSFET de puissance (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) qui est basé sur le carbure de silicium (SiC) au lieu du silicium.

650V 50mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1J065F050

1200V 60mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1J120F060

1200V 60mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1J120Q060

650V 50mΩ TO-220-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065B050

650V 100mΩ TO-220-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M065B100

650V 200mΩ TO-220-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065B200

650V 20mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

Hestia Power

Référence Fabricant : H1M065F020

650V 50mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065F050

650V 100mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065F100

650V 200mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065F200

650V 20mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065Q020

650V 50mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065Q050

650V 100mΩ TO-247-4L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M065Q100

1200V 30mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M120F030

1200V 60mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M120F060

1200V 120mΩ TO-247-3L SiC MOSFET

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Référence Fabricant : H1M120F120

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