650V 75A IGBT de canal N de parada de campo TO-247

Descripción

El HIA75N65H-SA es un IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de 650 V y canal N con parada de campo en zanja con varias características y aplicaciones notables. He aquí una visión general:

Características:

1. Muy bajo VCE(sat): Este IGBT está diseñado para tener una tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)) muy baja. Una VCE(sat) baja ayuda a reducir la disipación de potencia y las pérdidas de energía en el dispositivo cuando está en estado activado.
2. Pérdidas de conmutación extremadamente bajas: El IGBT está optimizado para reducir al mínimo las pérdidas de conmutación. Las bajas pérdidas de conmutación son cruciales en aplicaciones de alta frecuencia, ya que conducen a una mayor eficiencia global y una menor generación de calor.
3. Excelente estabilidad y uniformidad: Este IGBT está diseñado para ofrecer estabilidad y un rendimiento uniforme en todo su rango de funcionamiento. Esto garantiza un funcionamiento constante y fiable en diversas aplicaciones.
4. Diodo de recuperación inversa rápida suave: El diodo integrado tiene un tiempo de recuperación inversa rápido al tiempo que mantiene unas características de conmutación suaves. Esto resulta beneficioso en aplicaciones en las que el IGBT conmuta con frecuencia.
5. Temperatura máxima de unión (TJ(max)) = 175℃: El IGBT puede funcionar a temperaturas de hasta 175 grados Celsius. Esta capacidad de alta temperatura permite utilizarlo en aplicaciones exigentes sin preocuparse por el sobrecalentamiento.

Aplicaciones:

1. Convertidores solares: Los convertidores solares, como los inversores de los sistemas fotovoltaicos, suelen requerir dispositivos de conmutación de alta tensión y alto rendimiento, como este IGBT, para convertir la corriente continua de los paneles solares en corriente alterna utilizable.
2. Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI): Los sistemas SAI requieren dispositivos de conmutación de potencia fiables y eficientes para proporcionar energía de reserva durante las interrupciones de la red eléctrica. Los IGBT se utilizan habitualmente con este fin en los SAI.
3. Corrección del factor de potencia (PFC): La corrección del factor de potencia es esencial para mejorar la eficacia de las fuentes de alimentación. Los IGBT pueden emplearse en circuitos PFC para ayudar a controlar y ajustar el factor de potencia.
4. Convertidores de soldadura: Los convertidores de soldadura necesitan capacidades de conmutación de alta tensión y alta corriente. Los IGBT son adecuados para aplicaciones de soldadura en las que pueden gestionar eficazmente los requisitos de alta potencia.
5. Convertidores de alta frecuencia: Los convertidores de alta frecuencia, utilizados a menudo en accionamientos de motores y otras aplicaciones, requieren componentes que puedan conmutar rápida y eficazmente. Las bajas pérdidas de conmutación de este IGBT lo hacen adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

En resumen, el HIA75N65H-SA es un IGBT de alto voltaje diseñado para diversas aplicaciones que exigen alta eficiencia, bajas pérdidas por conmutación y un rendimiento fiable. Sus características y su capacidad para altas temperaturas lo hacen especialmente adecuado para su uso en convertidores solares, sistemas SAI, corrección del factor de potencia, convertidores de soldadura y convertidores de alta frecuencia.

HIA75N65H-SA es una alternativa pin a pin al IKW75N65EH. Esto significa que ambos IGBT tienen una disposición de patillas compatible y pueden utilizarse indistintamente en el mismo circuito sin necesidad de realizar cambios significativos en el diseño o las conexiones de la placa de circuito impreso (PCB). Esta compatibilidad facilita a los diseñadores e ingenieros la sustitución de un IGBT por otro a la hora de buscar componentes o realizar revisiones de diseño.