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MOSFET de súper unión de canal N D-PAK de 900 V y 800 mΩ

Número de pieza: HCD90R800
Marca: SemiHow

Descripción

HCD90R800

Características

FOM muy bajo (RDS(on) X Qg)

Pérdidas de conmutación extremadamente bajas

Excelente estabilidad y uniformidad

100% Prueba de avalancha

Diodo ESD integrado

Aplicación

Fuente de alimentación conmutada (SMPS)

Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)

Corrección del factor de potencia (PFC)

Alimentación de TV e iluminación LED

Convertidores de CA a CC

Telecomunicaciones

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