Productos
MOS
- SJ-MOS
- SJ-MOS (recuperación rápida)
- SGT-MOS
IGBT
- SJ-IGBT
SiC
- SiC-MOS
- SiC-SBD
High-Side Driver(en desarrollo)
- 600V
Comparación de diferentes procesos para MOS de superunión (SJ-MOS)
Actualmente, existen dos métodos principales para producir Super Junction (SJ-MOS):
(1) El multiepitaxial (Multi-EPI) consiste en el crecimiento de capas mediante epitaxia e implantación de iones para lograr la superunión. Aunque este método requiere menos equipamiento, implica numerosos pasos de producción, lo que se traduce en costes más elevados. (
2) El zanja profunda consiste en excavar directamente surcos profundos, lo que es rentable pero plantea problemas para garantizar un rendimiento uniforme dentro de las zanjas, lo que conlleva riesgos de fiabilidad.
Los principales fabricantes internacionales de SJ-MOSFET, incluido Infineon, suelen adoptar el proceso multiepitaxial debido a sus ventajas en cuanto a fiabilidad del producto y mitigación de la EMI.
Super Semiconductores es la primera empresa china de semiconductores que desarrolla con éxito productos MOSFET Super Junction mediante el proceso multiepitaxial.
Comparación de IDSS de MOS de superunión con diferentes procesos
Las características de la corriente de fuga de drenaje a fuente (IDSS) de los productos SJ-MOSFET están relacionadas principalmente con el tipo de proceso del producto, con un impacto relativamente mínimo de las especificaciones del producto, el tamaño del chip y las generaciones del proceso.
Los productos SJ-MOSFET de Super Semiconductor presentan características de IDSS que coinciden esencialmente con los productos de proceso multiepitaxial de corriente internacional y son notablemente inferiores a los productos que emplean el proceso Deep-Trench.
El excelente rendimiento en características de fuga a alta temperatura contribuye a garantizar la fiabilidad y estabilidad de los productos SJ-MOSFET de Super Semiconductor durante condiciones de funcionamiento prolongadas.
Ventajas del SJ-IGBT de Super Semiconductor
Mayor densidad de corriente
La tecnología IGBT ha alcanzado su séptima generación, ejemplificada por el IGBT7 de Infineon, que emplea una estructura de microzanja + tope de campo, alcanzando una impresionante densidad de corriente de hasta 400 A/cm².
Los dispositivos SJ-IGBT de Super Semiconductor, presentados recientemente, van un paso más allá, mejorando significativamente la densidad de corriente más allá de los IGBT7. La generación inaugural de SJ-IGBT ya ha logrado un hito con una densidad de corriente de 450 A/cm²., y la próxima generación, actualmente en fase de validación, pretende ampliar la densidad de corriente a una impresionante 600 A/cm²..
Menores pérdidas de conmutación
Comparación de las mediciones reales entre las piezas H5 y S5 de la empresa I y las de Super Semiconductor
Todos los dispositivos se someten a pruebas dinámicas y de cortocircuito en las mismas condiciones en la plataforma de pruebas LE MSYS TRds4045-40 70 del Instituto de Investigación Industrial de Microtecnología de Shanghai. El SJ-IGBT de tipo G2H presenta unas pérdidas de conmutación excepcionalmente bajas, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Envases más pequeños
La capacidad de mayor densidad de corriente de los dispositivos SJ-IGBT permite una reducción significativa del área del chip, minimizando así los requisitos de tamaño de embalaje del dispositivo. Actualmente, en el mercado, los dispositivos IGBT de 600/650 V y 30-75 A (con FRD integrado) suelen utilizar formas de encapsulado más grandes, como TO-247 y TO-3P, debido a consideraciones de área de chip. Super Semiconductor ofrece productos SJ-IGBT de 30-75 A, con diodos de recuperación rápida, en formas de encapsulado como TO-220, TO-220F y TO-247, que proporcionan más flexibilidad y opciones en comparación con las alternativas de mayor tamaño.
Aplicaciones
Microinversores de conexión a red
Los microinversores solares convierten la energía de los paneles fotovoltaicos (FV) individuales. La potencia nominal de un solo panel fotovoltaico suele ser de 400 W, mientras que varios paneles pueden tener una potencia nominal combinada de hasta 1,5 kW. Recientemente, debido al impacto de la crisis energética europea, ha habido una demanda constantemente alta de microinversores solares. Nuestro SJ-MOS de 800 V y alto voltaje, que utiliza un proceso multiepitaxial, ofrece una alta fiabilidad y una buena consistencia, para satisfacer eficazmente los requisitos de diseño.
Piezas SJ-MOS recomendadas
Diodos de SiC recomendados
SiC-MOS recomendado
Artículo de IEEE EDL sobre SJ-IGBT
Super Semiconductor ha publicado su artículo sobre su innovación en SJ-IGBTen la prestigiosa revista IEEE EDL (Electron Device Letters), lo que supone un nuevo avance en la tecnología de chips de silicio.
Contacto
No dude en ponerse en contacto con nosotros en info@chiplix.com para obtener más información sobre Super Semiconductor y sus productos SJ-IGBT, SJ-MOS, SiC-MOS, SiC-SBD y SGT-MOS, así como sus aplicaciones. Estamos aquí para ayudarle a identificar el componente más adecuado para su proyecto.
