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GaN Systems

GaN Systems, fundada en 2008 y con sede en Ottawa, Canadá, tiene oficinas en el Reino Unido, Alemania, Japón y Estados Unidos. Es una empresa de semiconductores sin fábrica. Su diseño de sistema de primera clase destaca las ventajas de GaN en aplicaciones de conversión de energía y control. Para superar las limitaciones del silicio en cuanto a velocidad de conversión, temperatura, voltaje y corriente, GaN Systems ha desarrollado un conjunto completo de dispositivos de conversión de energía GaN adecuados para diversos mercados.

La tecnología patentada única de GaN Systems, Island Technology®, lo hace más pequeño y eficiente que productos similares, y supera simultáneamente los desafíos de costo, rendimiento y fabricabilidad. Jim Witham, CEO de GaN Systems, fue CEO de Neosonic y Fultec Semiconductor. Tiene un MBA de la Harvard Business School y una licenciatura y maestría en ingeniería mecánica de la Universidad de Stanford.

Componentes Electrónicos Destacados

Transistores GaN - E-HEMT de 100 V

ParteIDSRDS(on)QGDimensionesRefrigeración del Paquete
GS61004B38 A16 mΩ3,3 nC4,6 x 4,4 x 0,51 mmParte inferior
GS61008P90 A7 mΩ8 nC7,6 x 4,6 x 0,51 mmParte inferior
GS61008T90 A7 mΩ8 nC7,0 x 4,0 x 0,54 mmLado superior

Transistores GaN - E-HEMT de 100 V

ParteIDSRDS(on)QGDimensionesRefrigeración del Paquete
GS-065-004-1-L4 A450 mΩ0,8 nC5,0 x 6,0 x 0,85 mmParte inferior
GS-065-008-1-L8 A225 mΩ1,5 nC5,0 x 6,0 x 0,85 mmParte inferior
GS-065-011-1-L11 A150 mΩ2,2 nC5,0 x 6,0 x 0,85 mmParte inferior
GS-065-011-2-L11 A150 mΩ2,2 nC8,0 x 8,0 x 0,9 mmParte inferior
GS-065-018-2-L18 A78 mΩ4 nC8,0 x 8,0 x 0,9 mmParte inferior
GS-065-030-2-L30 A50 mΩ6,7 nC8,0 x 8,0 x 0,9 mmParte inferior
GS66502B7.5 A200 mΩ1,6 nC5,0 x 6,6 x 0,51 mmParte inferior
GS66504B15 A100 mΩ3,3 nC5,0 x 6,6 x 0,51 mmParte inferior
GS66506T22.5 A67 mΩ4,5 nC5,6 x 4,5 x 0,54 mmLado superior
GS66508B30 A50 mΩ6,1 nC7,0 x 8,4 x 0,51 mmParte inferior
GS66508T30 A50 mΩ6,1 nC7,0 x 4,5 x 0,54 mmLado superior
GS-065-060-5-B-A60 A25 mΩ14 nC11,0 x 9,0 x 0,63 mmParte inferior
GS-065-060-5-T-A60 A25 mΩ14 nC9,0 x 7,6 x 0,69 mmLado superior
GS-065-060-3-B60 A25 mΩ14 nC11,0 x 9,0 x 0,45 mmParte inferior
GS66516B60 A25 mΩ14,2 nC11,0 x 9,0 x 0,54 mmParte inferior
GS-065-060-3-T60 A25 mΩ14 nC9,2 x 7,8 x 0,49 mmLado superior
GS66516T60 A25 mΩ14,2 nC9,0 x 7,6 x 0,54 mmLado superior
GS-065-150-1-D2150 A10 mΩ33 nC12,6 x 5,6 x 0,3 mmMuere

Partse de GaN Systems más populares.

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