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Innoscience

Innoscience es una empresa de alta tecnología dedicada a la investigación, desarrollo y fabricación de la epitaxia y dispositivos de nitruro de galio (GaN) de silicio semiconductor de tercera generación. La compañía emplea el modelo de cadena completa de fabricación de dispositivos integrados (IDM) y ha establecido la primera línea de producción del mundo con la mayor capacidad para la producción en masa de obleas de GaN-on-Si de 8 pulgadas.

Fundada el 17 de diciembre de 2015, Innoscience entendió desde el principio que lograr una adopción generalizada en el mercado de la tecnología de nitruro de galio (GaN) requería más que solo rendimiento y confiabilidad. Era necesario abordar tres puntos dolorosos cruciales.

  • En primer lugar, el costo era imperativo; un precio razonable era esencial para una amplia adopción.
  • En segundo lugar, la capacidad de producción a gran escala era fundamental para satisfacer las demandas del mercado.
  • Por último, asegurar una cadena de suministro estable para los dispositivos era vital, permitiendo a los clientes centrarse completamente en el desarrollo de productos y sistemas sin preocuparse por interrupciones en la producción debido a cambios en la estrategia de suministro de dispositivos GaN.

 

Por lo tanto, Innoscience se dio cuenta de que solo expandiendo la capacidad de producción de dispositivos GaN y poseyendo una línea de producción independientemente controlable se podrían abordar de manera efectiva los tres puntos dolorosos (precio, cantidad y seguridad de suministro), lo que permitiría la promoción generalizada de dispositivos electrónicos de potencia GaN en el mercado.

Desde el principio, Innoscience adoptó estratégicamente obleas de 8 pulgadas. En comparación con las obleas de 6 pulgadas, las obleas de 8 pulgadas producen un 80% más de dispositivos. Además, Innoscience aprovechó los procesos de C-MOS, aplicando años de experiencia y medidas de optimización del campo de la producción de transistores al proceso de producción de obleas de GaN.

Hoy en día, Innoscience ha cumplido sus planes iniciales. Actualmente, la compañía cuenta con dos instalaciones de producción de GaN de silicio de 8 pulgadas que utilizan procesos de producción de 8 pulgadas de última generación, lo que la convierte en el principal fabricante de dispositivos GaN con la mayor capacidad de producción global.

Actualmente, la capacidad de producción de GaN de silicio de 8 pulgadas de Innoscience ha alcanzado las 10,000 obleas al mes, con planes de aumentar gradualmente a más de 70,000 obleas al mes y más allá.

Componentes Electrónicos Destacados

HEMT de GaN de alta tensión

Número de piezaConfiguraciónPaqueteVDS max(V)RDS(on)_typ(mΩ)RDS(on) max (mΩ)QG(nC)Qoss(nC)ID max (A)IDPuls max(A)Modelos
INN650D140AÚnicoDFN 8X86501061403.5331732disponible
INN650DA140AÚnicoDFN 5X66501061403.5331732disponible
INN650N140AÚnicoWAFER6501061403.5331732disponible
INN650D190AÚnicoDFN 8X86501381902.824.511.520.5disponible
INN650DA190AÚnicoDFN 5X66501381902.824.511.520.5disponible
INN650N190AÚnicoWAFER6501381902.824.511.520.5disponible
INN650D240AÚnicoDFN 8X86501652402211018disponible
INN650DA240AÚnicoDFN 5×66501652402211018disponible
INN650N240AÚnicoWAFER6501652402211018disponible
INN650D350AÚnicoDFN 8X86502703501.513610disponible
INN650DA350AÚnicoDFN 5X66502703501.513610disponible
INN650N350AÚnicoWAFER6502703501.513610disponible
INN650DA500AÚnicoDFN 5X66503655001.310.559disponible
INN650N500AÚnicoWAFER6503655001.310.559disponible
INN650DA600AÚnicoDFN 5X66504706000.77.33.36disponible
INN650N600AÚnicoWAFER6504706000.77.33.36disponible
INN650N05(antiguo P/N)ÚnicoWAFER6506208000.7525disponible
INN650N2K2AÚnicoWAFER650160022000.220.81.6disponible
INN650D080BSÚnicoDFN 8X865060806.2602958disponible
INN700DC140AÚnicoDFN 5X67001061403.5331732disponible
INN700DC240AÚnicoDFN 5X67001652402211018disponible
INN700DC350AÚnicoDFN 5X67002703501.513610disponible

LV GaN HEMT

Número de piezaConfiguraciónPaqueteVDS max(V)RDS(on)_typ(mΩ)RDS(on) max (mΩ)QG(nC)Qoss(nC)ID max (A)IDPuls max(A)Modelos
INN040W048ABidirecciónWLCSP 2.1X2.14044.815.812.220100disponible
INN040W080ABidirecciónWLCSP 1,7X1,7406.1810.181470disponible
INN040W120ABidirecciónWLCSP 1,2X1,7409127.25.61050disponible
INN040FQ012ABidirecciónFCQFN 6X4400.91.26045100200disponible
INN040FQ015AÚnicoFCQFN 5X4401.21.5285850200disponible
INN040FQ043AÚnicoFCQFN 4X34034.36.21424160disponible
INN100W032AÚnicoWLCSP 3,5X2,131002.43.29.25060230disponible
INN100W027AÚnicoWLCSP 4,45x2,301002.12.7137764320disponible
INN100W070AÚnicoWLCSP 2,5x1,51005.574.52529125disponible
INN100FQ016AÚnicoFCQFN 4X61001.41.822125100320disponible
INN100FQ025AÚnicoFCQFN 3X51002.22.8148580320disponible
INN150FQ032AÚnicoFCQFN 4X61503.23.920130100260disponible
INN150LA070A*ÚnicoLGA 2.2X3.21505.677.646.828120disponible
ISG3201SolidGaN (Driver+Medio puente GaN)LGA 5x6,5x1,11002.4+2.43.2+3.29.2+9.250+5060N/AN/A

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