Analizador de Dispositivos de Potencia
Nuestro analizador de dispositivos de potencia integra funciones de medición y análisis multifacéticas. Con un amplio rango de voltaje de hasta 3.5 kV y una capacidad de corriente de 6000 A, este analizador puede manejar varios dispositivos de potencia, incluyendo MOSFETs, BJT e IGBTs, con características de alto voltaje y alta corriente. Ofrece una precisión de medida en el rango de microohmios y una capacidad de medición de corriente en el rango de picoamperios, asegurando una evaluación meticulosa. Además, nuestro sistema soporta la evaluación de la capacitancia de unión en modo de alto voltaje, abarcando parámetros como la capacitancia de entrada, la capacitancia de salida y la capacitancia de transferencia inversa. Experimente una precisión sin igual en las pruebas de parámetros estáticos para un rendimiento optimizado de dispositivos de potencia.
Características del Analizador de Dispositivos de Potencia
- Alcanza un voltaje máximo de 3500V, ampliable a 10kV para una mayor versatilidad.
- Maneja corrientes sustanciales, con la capacidad de llegar a 6000A mediante módulos en paralelo.
- Asegura una corriente de fuga mínima en el rango de nA y realiza mediciones precisas de resistencia hasta microohmios.
- Logra precisión con una exactitud de medición del 0.1%.
- Benefíciate de una configuración modular que permite la adición o actualización sencilla de unidades de medición.
- Experimenta pruebas eficientes con conmutación automática y pruebas sencillas con solo presionar una tecla.
- Utiliza una interfaz gráfica de operación en PC intuitiva, que permite a los usuarios realizar pruebas con facilidad después de una configuración simple.
- Se adapta a diversos requisitos de temperatura, admitiendo pruebas normales y de alta temperatura, con un módulo de control de temperatura opcional que puede sincronizarse con un termostato de terceros.
- Exporta datos de prueba de manera fluida, admitiendo la exportación automática de resultados en formato EXCEL.
- Asegura compatibilidad con varios paquetes, ofreciendo accesorios a medida según los requisitos específicos de prueba.
¿Qué puede probar?
El analizador de dispositivos de potencia está equipado para probar una variedad de componentes electrónicos:
Transistor: Medir características críticas, incluido el voltaje de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO), el voltaje de ruptura colector-base (V(BR)CBO), el voltaje de ruptura emisor-base (V(BR)EBO), la corriente del colector (IC), la corriente de fuga del colector (ICBO), el voltaje de saturación (VCESAT), el voltaje de saturación base-emisor (VBESAT), la corriente base (IB), la capacitancia colector-emisor (Ceb), la ganancia (hFE), y varias curvas como entrada, salida y C-V.
Transistor: Mide características críticas como la tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO), la tensión de ruptura colector-base (V(BR)CBO), la tensión de ruptura emisor-base (V(BR)EBO), la corriente de colector (IC), la corriente de fuga de colector (ICBO), la tensión de saturación (VCESAT), la tensión de saturación base-emisor (VBESAT), la corriente de base (IB), la capacitancia colector-emisor (Ceb), la ganancia (hFE) y varias curvas como entrada, salida y C-V.
MOSFET de silicio y carburo de silicio: Evaluar parámetros como el voltaje de ruptura drenaje-fuente (V(BR)DSS), el umbral de voltaje compuerta-fuente (VGS(th)), la corriente de saturación drenaje-fuente (IDSS), la corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS), la resistencia de estado encendido (RDS(on)), el voltaje fuente-drenaje (VSD), la corriente fuente-drenaje (ISD), la resistencia interna de la compuerta (RG), la capacitancia de entrada (Ciss), la capacitancia de salida (Coss), la capacitancia de transmisión inversa (Crss), la transconductancia (gfs), y varias curvas.
IGBT: Funciones de prueba como la tensión de saturación colector-emisor (VCEsat), la tensión de ruptura colector-emisor (VCES), la corriente de colector (IC), la corriente de fuga colector-emisor (ICES), la tensión puerta-fuente (VGES), la tensión umbral puerta-fuente (VGE(th)), la corriente de fuga puerta-fuente (IGES), la resistencia interna de puerta (RG), la capacitancia de entrada (Ciss), la capacitancia de salida (Coss), la capacitancia de transferencia inversa (Crss), la transconductancia (gfs) y las curvas características.
GaN HEMT: Evaluar parámetros similares a los MOSFET y IGBT para transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio.
Capacitancia: Medir la resistencia de aislamiento (I.R) y el valor de capacitancia (C).
Optoacoplador (tres puertos): Evaluar corriente directa (IF), voltaje directo (VF), voltaje de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO), voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)), corriente de fuga colector-emisor (ICEO), resistencia de aislamiento (I.R), capacitancia de entrada, capacitancia de salida, capacitancia de aislamiento (CIO) entre entrada y salida, relación de transferencia de corriente de salida (CTR), y curvas características para entrada y salida.
